K4A4G165WE-BCWE

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A4G165WE-BCWE
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G165WE-BCWE000
K4A4G165WE-BCWE0CV
K4A4G165WE-BCWE0EC
K4A4G165WE-BCWET00
K4A4G165WE-BCWETCT
K4A4G165WE-BCWETCV
K4A4G165WE-BCWETEC

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 3200 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G165WE-BCWE 17.920 25+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE 126 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE0CV 19.477 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE0CV 19.477 23+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE0CV 19.502 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE0CV 19.000 23+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE0CV 10.000 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE0CV 19.502 23+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWETCT 100,000+ 22+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCWE0CV 13.440 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2 V 2400 MBPS 0 C~+70 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EM6OE16NWBB-62H FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16GE-062E ES:B FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16GE-062E:B FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16GE-062E:BTR FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16GE-062EB FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16LY-062 FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16LY-062E FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16LY-062E IT FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16LY-062E:F FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16LY-062E:FTR FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C