Bilder dienen nur der Illustration
Hersteller-Nummer | K4A4G165WE-BIWE |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR4 SDRAM |
IC-Code | 256MX16 DDR4 |
Andere Bezeichnungen | K4A4G165WE-BIWE000 |
K4A4G165WE-BIWE0CV | |
K4A4G165WE-BIWETCV |
Gehäuse | FBGA-96 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.2 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 3200 MBPS |
Standard Stückzahl | 1120 |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K4A4G165WE-BIWE | 30.000 | Anfrage senden | |
K4A4G165WE-BIWE | 476 | 21+ | Anfrage senden |
K4A4G165WE-BIWE000 | 3.200 | Anfrage senden | |
K4A4G165WE-BIWE | 10.240 | Anfrage senden | |
K4A4G165WE-BIWE0CV | 2.131 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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MT40A256M16GE 083E:B | FBGA-96 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+70 C |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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K4A4G165WE-BIWETCT | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWETEC | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |