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Hersteller-Nummer | K4A4G165WE-BIWETCT |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR4 SDRAM |
IC-Code | 256MX16 DDR4 |
Gehäuse | FBGA-96 |
Verpackung | TAPE ON REEL |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.2 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 3200 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K4A4G165WE-BIWETCT | 100,000+ | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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K4A4G165WE-BIWE | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWE000 | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWE0CV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWETCV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWETEC | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |