圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4A4G165WE-BIWETCT |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR4 SDRAM |
IC代碼 | 256MX16 DDR4 |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包裝 | TAPE ON REEL |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.2 V |
溫度規格 | -40 C~+85 C |
速度 | 3200 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4A4G165WE-BIWETCT | 100,000+ | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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K4A4G165WE-BIWE | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWE000 | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWE0CV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWETCV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWETEC | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |