K4A4G165WE-BIWE

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4A4G165WE-BIWE
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR4 SDRAM
IC代碼 256MX16 DDR4
共通IC編號 K4A4G165WE-BIWE000
K4A4G165WE-BIWE0CV
K4A4G165WE-BIWETCV

產品詳情

脚位/封装 FBGA-96
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.2V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 3200 MBPS
標準包裝數量 1120
標準外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4A4G165WE-BIWE 11,200 DC22+23+ 索取報價
K4A4G165WE-BIWETCV 4,930 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 11,200 DC22+ 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 20,480 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 871 索取報價
K4A4G165WE-BIWETCV 16,000 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 0 索取報價
K4A4G165WE-BIWETCV 24,000 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 11,200 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 30,000 索取報價

可替代IC編號

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+70 C

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4A4G165WE-BIWETCT FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS -40 C~+85 C
K4A4G165WE-BIWETEC FBGA-96 1.2V 3200 MBPS -40 C~+85 C