K4A4G165WE-BIWE

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4A4G165WE-BIWE
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR4 SDRAM
IC代碼 256MX16 DDR4
共通IC編號 K4A4G165WE-BIWE000
K4A4G165WE-BIWE0CV
K4A4G165WE-BIWETCT
K4A4G165WE-BIWETCV
K4A4G165WE-BIWETEC

產品詳情

脚位/封装 FBGA-96
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.2 V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 3200 MBPS
標準包裝數量 1120
標準外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4A4G165WE-BIWE 17,920 25+ 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 1,227 24/25+ 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 0 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 24,000 索取報價
K4A4G165WE-BIWETCT 3,754 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 20,000 22+ 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 14,560 21/22+ 索取報價
K4A4G165WE-BIWETCT 2,000 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 1,200 22+ 索取報價
K4A4G165WE-BIWE 25,000 21+ 索取報價

可替代IC編號

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2 V 2400 MBPS 0 C~+70 C