圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4A4G165WE-BIWE |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR4 SDRAM |
IC代碼 | 256MX16 DDR4 |
共通IC編號 | K4A4G165WE-BIWE000 |
K4A4G165WE-BIWE0CV | |
K4A4G165WE-BIWETCV |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.2V |
溫度規格 | -40 C~+85 C |
速度 | 3200 MBPS |
標準包裝數量 | 1120 |
標準外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4A4G165WE-BIWE | 11,200 | DC22+23+ | 索取報價 |
K4A4G165WE-BIWETCV | 4,930 | 索取報價 | |
K4A4G165WE-BIWE | 11,200 | DC22+ | 索取報價 |
K4A4G165WE-BIWE | 20,480 | 索取報價 | |
K4A4G165WE-BIWE | 871 | 索取報價 | |
K4A4G165WE-BIWETCV | 16,000 | 索取報價 | |
K4A4G165WE-BIWE | 0 | 索取報價 | |
K4A4G165WE-BIWETCV | 24,000 | 索取報價 | |
K4A4G165WE-BIWE | 11,200 | 索取報價 | |
K4A4G165WE-BIWE | 30,000 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
MT40A256M16GE 083E:B | FBGA-96 | 1.2V | 2400 MBPS | 0 C~+70 C |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
K4A4G165WE-BIWETCT | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWETEC | FBGA-96 | 1.2V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |