K4A4G165WE-BIWE

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4A4G165WE-BIWE
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G165WE-BIWE000
K4A4G165WE-BIWE0CV
K4A4G165WE-BIWETCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 3200 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G165WE-BIWE 11.200 DC22+23+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWETCV 4.930 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 11.200 DC22+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 20.480 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 871 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWETCV 16.000 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 0 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWETCV 24.000 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 11.200 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 30.000 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+70 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4A4G165WE-BIWETCT FBGA-96 1.2 V 3200 MBPS -40 C~+85 C
K4A4G165WE-BIWETEC FBGA-96 1.2V 3200 MBPS -40 C~+85 C