K4A4G165WE-BIWE

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A4G165WE-BIWE
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G165WE-BIWE000
K4A4G165WE-BIWE0CV
K4A4G165WE-BIWETCT
K4A4G165WE-BIWETCV
K4A4G165WE-BIWETEC

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 3200 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G165WE-BIWE 17.920 25+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 1.227 24/25+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 0 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 24.000 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWETCT 3.754 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 20.000 22+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 14.560 21/22+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWETCT 2.000 Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 1.200 22+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BIWE 25.000 21+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2 V 2400 MBPS 0 C~+70 C