K4A4G165WE-BIWE

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4A4G165WE-BIWE
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR4 SDRAM
IC代码 256MX16 DDR4
共通IC编号 K4A4G165WE-BIWE000
K4A4G165WE-BIWE0CV
K4A4G165WE-BIWETCT
K4A4G165WE-BIWETCV
K4A4G165WE-BIWETEC

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.2 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 3200 MBPS
标准包装数量 1120
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4A4G165WE-BIWE 17,920 25+ 索取报价
K4A4G165WE-BIWE 1,227 24/25+ 索取报价
K4A4G165WE-BIWE 0 索取报价
K4A4G165WE-BIWE 24,000 索取报价
K4A4G165WE-BIWETCT 3,754 索取报价
K4A4G165WE-BIWE 20,000 22+ 索取报价
K4A4G165WE-BIWE 14,560 21/22+ 索取报价
K4A4G165WE-BIWETCT 2,000 索取报价
K4A4G165WE-BIWE 1,200 22+ 索取报价
K4A4G165WE-BIWE 25,000 21+ 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2 V 2400 MBPS 0 C~+70 C