图片仅供参考
制造商IC编号 | K4A4G165WE-BIWETCT |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR4 SDRAM |
IC代码 | 256MX16 DDR4 |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包装 | TAPE ON REEL |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.2 V |
温度规格 | -40 C~+85 C |
速度 | 3200 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4A4G165WE-BIWETCT | 100,000+ | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
K4A4G165WE-BIWE | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWE000 | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWE0CV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWETCV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WE-BIWETEC | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |