K4A8G165WB-BIWE
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4A8G165WB-BIWE |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR4 SDRAM |
| IC-Code | 512MX16 DDR4 |
| Andere Bezeichnungen | K4A8G165W B-BIWE0CV |
| K4A8G165WB-BIWETCV |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-96 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.2V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 3200 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 8Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Generation | 3rd Generation |
| Power | Normal Power |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4A8G165WB-BIWE | 100,000+ | 222+ | Anfrage senden |
| K4A8G165WB-BIWE | 20.160 | Anfrage senden | |
| K4A8G165WB-BIWE | 10.080 | 22+ | Anfrage senden |
| K4A8G165WB-BIWE | 2.240 | Anfrage senden | |
| K4A8G165WB-BIWE | 100,000+ | 202230 | Anfrage senden |
| K4A8G165WB-BIWE | 50.000 | 22+ | Anfrage senden |
| K4A8G165WB-BIWE | 100,000+ | 202230 | Anfrage senden |
| K4A8G165WB-BIWE | 50.000 | Anfrage senden | |
| K4A8G165W B-BIWE0CV | 50.000 | 2022+ | Anfrage senden |
| K4A8G165WB-BIWE | 20.000 | Anfrage senden |
Cross Reference
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT40A512M16LY-062E IT:E | FBGA-96 | 1.2V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| IS43QR16512A-062BLA1 | FBGA-96 | 1.2V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43QR16512A-062BLI | FBGA-96 | 1.2V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
| K4A8G165W B-BIWEOCV | FBGA-96 | 1.2V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |