Bilder dienen nur der Illustration
Hersteller-Nummer | K4A8G165W B-BIWEOCV |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR4 SDRAM |
IC-Code | 512MX16 DDR4 |
Gehäuse | FBGA-96 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.2 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 3200 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x16 |
Density | 8Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4A8G165W B-BIWEOCV | 100,000+ | 21+ | Anfrage senden |
K4A8G165W B-BIWEOCV | 100,000+ | Anfrage senden | |
K4A8G165W B-BIWEOCV | 100,000+ | 22+ | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
IS43QR16512A-062BLA1 | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
IS43QR16512A-062BLI | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A8G165WB-BIWE | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A8G165WB-BIWETCV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |