K4A8G165W B-BIWEOCV
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4A8G165W B-BIWEOCV |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 512MX16 DDR4 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.2 V |
| 溫度規格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 3200 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 8Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 3rd Generation |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| IS43QR16512A-062BI | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43QR16512A-062BLA1 | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43QR16512A-062BLI | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
| K4A8G165WB-BIWE | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
| K4A8G165WB-BIWETCV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |