K4A8G165W B-BIWEOCV
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4A8G165W B-BIWEOCV |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR4 SDRAM |
| IC代码 | 512MX16 DDR4 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.2 V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 3200 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 8Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Generation | 3rd Generation |
| Power | Normal Power |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| IS43QR16512A-062BLA1 | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43QR16512A-062BLI | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
| K4A8G165WB-BIWE | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
| K4A8G165WB-BIWETCV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |