K4B1G0846G-BCH9DT

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Hersteller-Nummer K4B1G0846G-BCH9DT
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TAPE ON REEL
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846G-BCH9DT 0 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B1G0846G-BCH90DT FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH90S3 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH91G FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9T FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9T00 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9TCV FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BIH9000 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BYH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BYH9000 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-HCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C