K4B1G0846G-BYH9

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4B1G0846G-BYH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B1G0846G-BYH9000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 8th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846G-BYH9000 1.204 Anfrage senden
K4B1G0846G-BYH9 2.000 2009+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B1G0846F-HYH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G -BCH9000 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCF9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH0 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9 4240EA FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9 SAMSUNG FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9 USD 1.33 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH90 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9000 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C