K4B2G1646E-HCH9

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4B2G1646E-HCH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX16 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B2G1646E-HCH9000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x16
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B2G1646E-HCH9 10.000 Anfrage senden
K4B2G1646E-HCH9 50.400 12+ Anfrage senden
K4B2G1646E-HCH9 4.000 10+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B2G1646CH9DR3 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646CHPH9 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646E-BCH9 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646E-BCH90 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646E-BCH9000 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646E-BCH9T FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646E-BCH9T00 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646E-BIH9 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646E-BPH9 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646EBIH9000 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C