K4B4G0846E-BYNB000
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B4G0846E-BYNB000 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3L SDRAM |
| IC-Code | 512MX8 DDR3L |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-78 |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.35V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 2133 MBPS |
| Standard Stückzahl | 1280 |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B4G0846E-BYNB000 | 12.800 | 19+ | Anfrage senden |