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制造商IC编号 | K4B4G0846E-BYNB000 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3L SDRAM |
IC代码 | 512MX8 DDR3L |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.35V |
温度规格 | -40 C~+85 C |
速度 | 2133 MBPS |
标准包装数量 | 1280 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
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K4B4G0846E-BYNB000 | 12,800 | 19+ | 索取报价 |