K4B4G0846E-BYNB000
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4B4G0846E-BYNB000 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR3L SDRAM |
| IC代碼 | 512MX8 DDR3L |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.35V |
| 溫度規格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 2133 MBPS |
| 標準包裝數量 | 1280 |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B4G0846E-BYNB000 | 12,800 | 19+ | 索取報價 |