K4B4G1646E-BINB

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4B4G1646E-BINB
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B4G1646E-BINB0CV
K4B4G1646E-BINBTCT
K4B4G1646E-BINBTCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 2133 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G1646E-BINBTCT 12.000 Anfrage senden
K4B4G1646E-BINBTCT 42.000 Anfrage senden
K4B4G1646E-BINBTCV 3.000 Anfrage senden
K4B4G1646E-BINB0CV 4.206 20+ Anfrage senden
K4B4G1646E-BINB0CV 4.206 2013+ Anfrage senden
K4B4G1646E-BINB0CV 4.206 Anfrage senden
K4B4G1646E-BINB0CV 100,000+ Anfrage senden
K4B4G1646E-BINBTCV 52.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43TR16256A-093NBI FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256A-093NBLA1 FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256A-093NBLI FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256B-093NBI FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256B-093NBLA1 FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256B-093NBLI FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256BL-093NBI BGA-96 1.35V/1.5V 2133 MBPS -40 C~+85 C