K4B4G1646E-BINB

产品概述

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制造商IC编号 K4B4G1646E-BINB
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 256MX16 DDR3
共通IC编号 K4B4G1646E-BINB0CV
K4B4G1646E-BINBTCT
K4B4G1646E-BINBTCV

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 2133 MBPS
标准包装数量 1120
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G1646E-BINBTCT 12,000 索取报价
K4B4G1646E-BINBTCT 42,000 索取报价
K4B4G1646E-BINBTCV 3,000 索取报价
K4B4G1646E-BINB0CV 4,206 20+ 索取报价
K4B4G1646E-BINB0CV 4,206 2013+ 索取报价
K4B4G1646E-BINB0CV 4,206 索取报价
K4B4G1646E-BINB0CV 100,000+ 索取报价
K4B4G1646E-BINBTCV 52,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
IS43TR16256A-093NBI FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256A-093NBLA1 FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256A-093NBLI FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256B-093NBI FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256B-093NBLA1 FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256B-093NBLI FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256BL-093NBI BGA-96 1.35V/1.5V 2133 MBPS -40 C~+85 C