K4B4G1646E-BMMA

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4B4G1646E-BMMA
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR3L
Andere Bezeichnungen K4B4G1646E-BMMA0
K4B4G1646E-BMMA00
K4B4G1646E-BMMA000
K4B4G1646E-BMMA0CV
K4B4G1646E-BMMA0EC
K4B4G1646E-BMMAT
K4B4G1646E-BMMAT00
K4B4G1646E-BMMATCV
K4B4G1646E-BMMATEC

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Power Low VDD(1.35V)
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G1646E-BMMA 8.814 24/25+ Anfrage senden
K4B4G1646E-BMMA 9.600 2025+ Anfrage senden
K4B4G1646E-BMMA 11.200 Anfrage senden
K4B4G1646E-BMMA 0 DC23+ Anfrage senden
K4B4G1646E-BMMA 10.240 DC2340+ Anfrage senden
K4B4G1646E-BMMA 100,000+ DC23+ Anfrage senden
K4B4G1646E-BMMA 3.300 25 Anfrage senden
K4B4G1646E-BMMA 15.000 Anfrage senden
K4B4G1646E-BMMA 2.849 21 Anfrage senden
K4B4G1646E-BMMA 9.134 21+22+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41K256M16TW-107 AIT:P FBGA-96 1.35 V/1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TC4G63CFR-RDI FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G63EFR-RDI FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G63EFR-RDIR FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
HTH5TC4G63EFR-RDANNN-JD7 FBGA-96 1.35 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IM4G16D3FDB-107I FBGA-96 1.35 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256AL-107MBLI-TR BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256BL-107MBLI-BM BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256BL-107MBLI-TR BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256DL-107MBLI BGA-96 1.35 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646D-BMMA FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C