K4B4G1646E-BMMA

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4B4G1646E-BMMA
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3L SDRAM
IC代码 256MX16 DDR3L
共通IC编号 K4B4G1646E-BMMA0
K4B4G1646E-BMMA00
K4B4G1646E-BMMA000
K4B4G1646E-BMMA0CV
K4B4G1646E-BMMA0EC
K4B4G1646E-BMMAT
K4B4G1646E-BMMAT00
K4B4G1646E-BMMATCV
K4B4G1646E-BMMATEC

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量 1120
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Power Low VDD(1.35V)
Generation 6th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G1646E-BMMA 8,814 24/25+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 9,600 2025+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 11,200 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 0 DC23+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 10,240 DC2340+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 100,000+ DC23+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 3,300 25 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 15,000 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 2,849 21 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 9,134 21+22+ 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT41K256M16TW-107 AIT:P FBGA-96 1.35 V/1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5TC4G63CFR-RDI FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G63EFR-RDI FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G63EFR-RDIR FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
HTH5TC4G63EFR-RDANNN-JD7 FBGA-96 1.35 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IM4G16D3FDB-107I FBGA-96 1.35 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256AL-107MBLI-TR BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256BL-107MBLI-BM BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256BL-107MBLI-TR BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256DL-107MBLI BGA-96 1.35 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646D-BMMA FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C