图片仅供参考
制造商IC编号 | K4B4G1646E-BMMA |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3L SDRAM |
IC代码 | 256MX16 DDR3L |
共通IC编号 | K4B4G1646E-BMMA00 |
K4B4G1646E-BMMA000 | |
K4B4G1646E-BMMA0CV | |
K4B4G1646E-BMMAT | |
K4B4G1646E-BMMATCV |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.35V |
温度规格 | -40 C~+95 C |
速度 | 1866 MBPS |
标准包装数量 | 1120 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4B4G1646E-BMMA | 11,200 | 索取报价 | |
K4B4G1646E-BMMA | 20,160 | 索取报价 | |
K4B4G1646E-BMMA | 8,960 | 22+ | 索取报价 |
K4B4G1646E-BMMA | 20,160 | 23+ | 索取报价 |
K4B4G1646E-BMMA | 0 | 索取报价 | |
K4B4G1646E-BMMA | 22,400 | 索取报价 | |
K4B4G1646E-BMMA | 22,400 | 23+ | 索取报价 |
K4B4G1646E-BMMA | 18,000 | DC22+ | 索取报价 |
K4B4G1646E-BMMATCV | 100,000+ | 索取报价 | |
K4B4G1646E-BMMA0CV | 90,823 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT41K256M16TW-107 AIT:P | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT41K256M16HA-107 IT ES:E | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16HA-107 IT:E | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16HA-107IT | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16TW-107 AIT | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16TW-107 AIT ES:P | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16TW-107 AIT P | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16TW-107 AIT:P | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16TW-107 AIT:R | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16TW-107 IT ES:P | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |