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Hersteller-Nummer | K4B4G1646E-BYNB000 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR3L SDRAM |
IC-Code | 256MX16 DDR3L |
Gehäuse | FBGA-96 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.35V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 2133 MBPS |
Standard Stückzahl | 1120 |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K4B4G1646E-BYNB000 | 11.200 | 19+ | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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IS43TR16256BL-093NBLA1 | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 2133 MBPS | -40 C~+85 C |
IS43TR16256BL-093NBLI | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 2133 MBPS | -40 C~+85 C |