K4B4G1646E-BYNB000
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B4G1646E-BYNB000 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3L SDRAM |
| IC-Code | 256MX16 DDR3L |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-96 |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.35 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 2133 MBPS |
| Standard Stückzahl | 1120 |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 6th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B4G1646E-BYNB000 | 11.200 | 19+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| IS43TR16256BL-093NBLA1 | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 2133 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43TR16256BL-093NBLI | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 2133 MBPS | -40 C~+85 C |