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制造商IC编号 | K4B4G1646E-BYNB000 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3L SDRAM |
IC代码 | 256MX16 DDR3L |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.35V |
温度规格 | -40 C~+85 C |
速度 | 2133 MBPS |
标准包装数量 | 1120 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
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K4B4G1646E-BYNB000 | 11,200 | 19+ | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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IS43TR16256BL-093NBLA1 | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 2133 MBPS | -40 C~+85 C |
IS43TR16256BL-093NBLI | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 2133 MBPS | -40 C~+85 C |