K4B4G1646E-BYNB000
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4B4G1646E-BYNB000 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3L SDRAM |
| IC代码 | 256MX16 DDR3L |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.35 V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 2133 MBPS |
| 标准包装数量 | 1120 |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 6th Generation |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B4G1646E-BYNB000 | 11,200 | 19+ | 索取报价 |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| IS43TR16256BL-093NBLA1 | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 2133 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43TR16256BL-093NBLI | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 2133 MBPS | -40 C~+85 C |