K4E171612C-TN60

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer	K4E171612C-TN60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E171612C-TN60T
	K4E171612C-TN60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(44/50)
Verpackung	TRAY
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	-25 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x16
Power	Low, i-TCSR
Generation	4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E171612C-TN60T	25.000	00+	Anfrage senden
K4E171612C-TN60T	30.000		Anfrage senden
K4E171612C-TN60T	30.000	01	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E171612D-TN60	TSOP2(44/50)	3.3 V	60 NS	-25 C~+85 C