K4E171612C-TN60

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4E171612C-TN60
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 1MX16 EDO
共通IC编号 K4E171612C-TN60T
K4E171612C-TN60T00

产品详情

脚位/封装 TSOP2(44/50)
外包装 TRAY
无铅/环保 含铅
电压(伏) 3.3 V
温度规格 -25 C~+85 C
速度 60 NS
标准包装数量
标准外箱
Bit Organization x16
Power Low, i-TCSR
Generation 4th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E171612C-TN60T 25,000 00+ 索取报价
K4E171612C-TN60T 30,000 索取报价
K4E171612C-TN60T 30,000 01 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4E171612D-TN60 TSOP2(44/50) 3.3 V 60 NS -25 C~+85 C