K4E171612D-TN60

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号	K4E171612D-TN60
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DRAM
IC代码	1MX16 EDO

产品详情

脚位/封装	TSOP2(44/50)
外包装	TRAY
无铅/环保	含铅
电压(伏)	3.3 V
温度规格	-25 C~+85 C
速度	60 NS
标准包装数量
标准外箱
Bit Organization	x16
Power	Low, i-TCSR
Generation	5th Generation

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
K4E171612C-TN60	TSOP2(44/50)	3.3 V	60 NS	-25 C~+85 C
K4E171612C-TN60T	TSOP2(44/50)	3.3 V	60 NS	-25 C~+85 C
K4E171612C-TN60T00	TSOP2(44/50)	3.3 V	60 NS	-25 C~+85 C