K4E171612D-TN60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E171612D-TN60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(44/50)
Verpackung	TRAY
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	-25 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x16
Power	Low, i-TCSR
Generation	5th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E171612C-TN60	TSOP2(44/50)	3.3 V	60 NS	-25 C~+85 C
K4E171612C-TN60T	TSOP2(44/50)	3.3 V	60 NS	-25 C~+85 C
K4E171612C-TN60T00	TSOP2(44/50)	3.3 V	60 NS	-25 C~+85 C