K4E641612DTL150

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Hersteller-Nummer K4E641612DTL150
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612DTL150 1.000 Anfrage senden
K4E641612DTL150 1.100 Anfrage senden
K4E641612DTL150 1.120 Anfrage senden
K4E641612DTL150 909 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416124ETC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C