K4E641612E-TI5

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E641612E-TI5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E641612E-TI50
K4E641612E-TI5000
K4E641612E-TI50000
K4E641612E-TI50T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612E-TI50 4.000 Anfrage senden
K4E641612E-TI50 3.200 08+ Anfrage senden
K4E641612E-TI50 1.200 07+ Anfrage senden
K4E641612E-TI50 12.000 Anfrage senden
K4E641612E-TI50 200 2006 Anfrage senden
K4E641612E-TI50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612E-TI50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612E-TI50 1.200 2002+ Anfrage senden
K4E641612E-TI50 13.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612E-TI50 17.900 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612B-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 OR MT4LCM TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI5000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C