K4F640812D-TC60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4F640812D-TC60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	8MX8 FP
Andere Bezeichnungen	K4F640812D-TC600
	K4F640812D-TC6000
	K4F640812D-TC60000
	K4F640812D-TC60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(32)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	8M
Bit Organization	x8
Density	64M
Generation	5th Generation
Power	Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4F640812D-TC60	4.000		Anfrage senden
K4F640812D-TC60	3.200	08+	Anfrage senden
K4F640812D-TC60	1.860	07+	Anfrage senden
K4F640812D-TC60	12.000		Anfrage senden
K4F640812D-TC60	10.000	2003+	Anfrage senden
K4F640812D-TC60	32		Anfrage senden
K4F640812D-TC60	1.860	2002+	Anfrage senden
K4F640812D-TC60	8.902	2003+	Anfrage senden
K4F640812D-TC60	5.810	03+	Anfrage senden
K4F640812D-TC60	1.860	02+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4F640812B-TC60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640812B-TL60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640812C-TC60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640812C-TL60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640812D-TL60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640812E-TC60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640812E-TL60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F660812B-TC60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F660812C-TC60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F660812C-TL60	TSOP2(32)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C