K4F640812D-TL60

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Hersteller-Nummer K4F640812D-TL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 8MX8 FP

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(32)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x8
Density 64M
Generation 5th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F640812D-TL60 4.000 Anfrage senden
K4F640812D-TL60 2.258 2005+ Anfrage senden
K4F640812D-TL60 8.336 2005+ Anfrage senden
K4F640812D-TL60 3.200 08+ Anfrage senden
K4F640812D-TL60 12.000 Anfrage senden
K4F640812D-TL60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4F640812D-TL60 1.492 Anfrage senden
K4F640812D-TL60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4F640812D-TL60 1.000 Anfrage senden
K4F640812D-TL60 5.108 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F640812B-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812B-TL60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812C-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812C-TL60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812D-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812D-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812E-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812E-TL60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F660812B-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F660812C-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C