K4F660812B-TC60

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4F660812B-TC60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 8MX8 FP

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(32)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x8
Power Normal Power
Generation 3rd Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F660812B-TC60 12.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F640812B-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812B-TL60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812C-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812C-TL60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812D-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812D-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812D-TL60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812E-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F640812E-TL60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4F660812C-TC60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C