K4H511638D-2IB3

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4H511638D-2IB3
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638D-2IB3 897 2008+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43R16320F-6TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16320F-6TLI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS46R16320D-6TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS46R16320D-6TLA1-TR TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS46R16320E-6TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS46R16320E-6TLA1-TR TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS46R16320F-6TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS46R16320F-6TLA1-TR TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638CUPB3 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638D-UIB3 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C