K4H511638D-2IB3

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Hersteller-Nummer K4H511638D-2IB3
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638D-2IB3 897 2008+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H511638D-UPB3 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638F-LIB3 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638F-LIB3000 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638F-LPB3 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638F-LPB30 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638J-LIB3 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638J-LPB3 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C