K4M281633HBG75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4M281633HBG75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 8MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4M281633H-BG750
K4M281633H-BG75000
K4M281633H-BG750JR
K4M281633H-BG75T
K4M281633H-BG75TJR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-54
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR & PASR & DS
Generation 9th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4M281633HBG75 335 10+ Anfrage senden
K4M281633H-BG75T 3.210 09+ Anfrage senden
K4M281633H-BG750 2.954 09+ Anfrage senden
K4M281633HBG75 11.500 2008+ Anfrage senden
K4M281633H-BG750 1.756 2007+ Anfrage senden
K4M281633H-BG75000 2.500 2009+ Anfrage senden
K4M281633H-BG750JR 1.280 200828+ Anfrage senden
K4M281633HBG75 1.280 08+ Anfrage senden
K4M281633H-BG75000 16.001 Anfrage senden
K4M281633HBG75 2.560 0828+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M281633DBN75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M281633F-BG75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M281633F-BN75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M281633F-BN75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M281633F-BN75000 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M281633F-BN750JR FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M281633F-RN750 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M281633G-BN75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M281633H-BN75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M281633H-BN75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C