K4S281633D-BN75
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4S281633D-BN75 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 8MX16 SD |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | CSP |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 3.3 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 133 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 8M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 128M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR |
| Generation | 5th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4S281633D-BN75 | 1.000 | Anfrage senden | |
| K4S281633D-BN75 | 50.000 | 2003 | Anfrage senden |
| K4S281633D-BN75 | 1.230 | Anfrage senden | |
| K4S281633D-BN75 | 1.230 | 2003+ | Anfrage senden |
| K4S281633D-BN75 | 3.230 | Anfrage senden | |
| K4S281633D-BN75 | 38.000 | 03+ | Anfrage senden |
| K4S281633D-BN75 | 1.195 | 03+ | Anfrage senden |
| K4S281633D-BN75 | 38.000 | Anfrage senden | |
| K4S281633D-BN75 | 40.000 | Anfrage senden | |
| K4S281633D-BN75 | 40.000 | 2003+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4S281633D-RN75 | CSP | 3.3 V | 133 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4S281633D-RN75T | CSP | 3.3 V | 133 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4S281633D-RN75T00 | CSP | 3.3 V | 133 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4S281633DRN75000 | CSP | 3.3 V | 133 MHZ | -25 C~+85 C |