K4S560832C-TP1H

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Hersteller-Nummer K4S560832C-TP1H
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 32MX8 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S560832C-TP1H 10.000 2009+ Anfrage senden
K4S560832C-TP1H 10.000 Anfrage senden
K4S560832C-TP1H 3.929 Anfrage senden
K4S560832C-TP1H 12.000 Anfrage senden
K4S560832C-TP1H 6.988 2003+ Anfrage senden
K4S560832C-TP1H 20.000 2003+ Anfrage senden
K4S560832C-TP1H 6.640 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S560832A-1H000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S560832B-TI1H000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S560832C-TI1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S560832C-TI1H000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C