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K4S560832C-TP1H
产品概述
图片仅供参考
制造商IC编号
K4S560832C-TP1H
厂牌
SAMSUNG/三星
IC 类别
SDRAM
IC代码
32MX8 SD
产品详情
脚位/封装
TSOP2(54)
外包装
无铅/环保
含铅
电压(伏)
3.3 V
温度规格
-40 C~+85 C
速度
100 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words
32M
Bit Organization
x8
Density
256M
Internal Banks
4 Banks
Power
Low Power
Generation
4th Generation
供应链有货
IC 编号
数量
生产年份
K4S560832C-TP1H
10,000
2009+
索取报价
K4S560832C-TP1H
10,000
索取报价
K4S560832C-TP1H
3,929
索取报价
K4S560832C-TP1H
12,000
索取报价
K4S560832C-TP1H
6,988
2003+
索取报价
K4S560832C-TP1H
20,000
2003+
索取报价
K4S560832C-TP1H
6,640
03+
索取报价
FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)
IC 编号
脚位/封装
电压(伏)
速度
温度规格
K4S560832A-1H000
TSOP2(54)
3.3 V
100 MHZ
-40 C~+85 C
K4S560832B-TI1H000
TSOP2(54)
3.3 V
100 MHZ
-40 C~+85 C
K4S560832C-TI1H
TSOP2(54)
3.3 V
100 MHZ
-40 C~+85 C
K4S560832C-TI1H000
TSOP2(54)
3.3 V
100 MHZ
-40 C~+85 C