K4S561632HUI75M

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Hersteller-Nummer K4S561632HUI75M
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S561632HUI75M 6.500 Anfrage senden
K4S561632HUI75M 441 DC0613 Anfrage senden
K4S561632HUI75M 441 613 Anfrage senden
K4S561632HUI75M 496 DC0613 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS2516ADTA-75TI-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
EDS2516APTA-75TI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
EDS2516APTA-75TI-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
EDS2516APTA7ATI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16160C-75TLI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16160D-75ETLI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS45S16160C-75TLA1 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS45S16160C-75TLA1-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS45S16160D-75ETLA1 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS45S16160D-75ETLA1-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C