K4S561632HUI75M

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Hersteller-Nummer K4S561632HUI75M
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S561632HUI75M 6.500 Anfrage senden
K4S561632HUI75M 441 DC0613 Anfrage senden
K4S561632HUI75M 441 613 Anfrage senden
K4S561632HUI75M 496 DC0613 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S561632E-TI75TOO TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632E-TP75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632E-UI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632E-UI75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632E-UI75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632E-UI75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632E-UP75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632ETI-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632ETI-75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632ETI75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C