K4S641632H-UP75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S641632H-UP75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641632H-UP75000
K4S641632H-UP750CV
K4S641632H-UP75T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl 960
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632H-UP75 100.000 Anfrage senden
K4S641632H-UP75 2.514 07+ Anfrage senden
K4S641632H-UP75 698 07 Anfrage senden
K4S641632H-UP75 8.698 07 Anfrage senden
K4S641632H-UP75 8.698 2007 Anfrage senden
K4S641632H-UP75000 100,000+ 200652+ Anfrage senden
K4S641632H-UP75000 100,000+ 0652/0646 Anfrage senden
K4S641632H-UP75000 100,000+ Anfrage senden
K4S641632H-UP75000 100,000+ 0652 Anfrage senden
K4S641632H-UP75000 25.000 06+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
( K4S641632N-LI75) TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L0 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632DTI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI/P75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C