K4S641632HTI-75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4S641632HTI-75
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	SDRAM
IC-Code	4MX16 SD
Andere Bezeichnungen	K4S641632H-TI75000
	K4S641632H-TI750CV
	K4S641632H-TI75T00
	K4S641632H-TI75TCV
	K4S641632HTI75T

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(54)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	-40 C~+85 C
Geschwindigkeit	133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Internal Banks	4 Banks
Generation	9th Generation
Power	Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4S641632HTI-75	20.000	06+	Anfrage senden
K4S641632HTI-75	5.500		Anfrage senden
K4S641632HTI-75	27.450	DC06	Anfrage senden
K4S641632HTI-75	275	DC06	Anfrage senden
K4S641632HTI-75	275	6	Anfrage senden
K4S641632HTI-75	27.450	6	Anfrage senden
K4S641632HTI-75	200	0628	Anfrage senden
K4S641632HTI-75	200	0625	Anfrage senden
K4S641632HTI-75	1.440	9	Anfrage senden
K4S641632HTI-75	18.947	DC06	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
( K4S641632N-LI75)	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632C-TI75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L0	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L00	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L000	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632DTI75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632E-TI/P75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632E-TI1L000	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632E-TI75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632E-TI75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C