K4S641632HUI75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S641632HUI75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641632H-UI75000
K4S641632H-UI75T00
K4S641632HUI750
K4S641632HUI750CV

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632HUI75 6.500 Anfrage senden
K4S641632HUI75 11.350 16+ Anfrage senden
K4S641632HUI75 1.000 Anfrage senden
K4S641632HUI75 9.500 2008+ Anfrage senden
K4S641632H-UI75000 100.000 07+ Anfrage senden
K4S641632HUI75 9 Anfrage senden
K4S641632HUI75 4.000 2005+ Anfrage senden
K4S641632HUI75 46 Anfrage senden
K4S641632HUI75 4.000 2006 Anfrage senden
K4S641632HUI750CV 1.920 2006 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
( K4S641632N-LI75) TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L0 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632DTI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI/P75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C