K4S641632N-LL75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S641632N-LL75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641632N-LL750
K4S641632N-LL75000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 14th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632N-LL75 5.130 201034+ Anfrage senden
K4S641632N-LL75 116 10+ Anfrage senden
K4S641632N-LL75 1.417 1034+ Anfrage senden
K4S641632N-LL75 276 Anfrage senden
K4S641632N-LL75 12.480 2010+ Anfrage senden
K4S641632N-LL75 9.600 10+ Anfrage senden
K4S641632N-LL75 9.600 DC10+ Anfrage senden
K4S641632N-LL75 19.200 100% NEW Anfrage senden
K4S641632N-LL75 9.600 2010+ Anfrage senden
K4S641632N-LL75 21.120 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
( K4S641632N-LI75) TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
EDS6416AHTA-75TI-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
EDS6416AJTA-75TI-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632DTI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI/P75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632ETI-75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C