K4S641632N-LP75

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	K4S641632N-LP75
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	SDRAM
IC-Code	4MX16 SD
Andere Bezeichnungen	K4S641632N-LP75000
	K4S641632N-LP750CV

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(54)
Verpackung
RoHS	RoHS
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	-40 C~+85 C
Geschwindigkeit	133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Internal Banks	4 Banks
Power	Low Power
Generation	14th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4S641632N-LP75	7.680	10+	Anfrage senden
K4S641632N-LP75	7.680	DC10+	Anfrage senden
K4S641632N-LP75	63.885		Anfrage senden
K4S641632N-LP75	27.907	10+	Anfrage senden
K4S641632N-LP75	59.587	10+	Anfrage senden
K4S641632N-LP75	14.499	10+	Anfrage senden
K4S641632N-LP75	80.707	10+	Anfrage senden
K4S641632N-LP75	771	10+	Anfrage senden
K4S641632N-LP75	19.200		Anfrage senden
K4S641632N-LP75	1.022	10+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
( K4S641632N-LI75)	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
EDS6416AHTA-75TI-E	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
EDS6416AJTA-75TI-E	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632DTI75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632E-TI/P75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632E-TI75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632E-TI75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632E-TI75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632E-TI75T00	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C
K4S641632ETI-75000	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	-40 C~+85 C