K4T1G164QJ-BIE6

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Hersteller-Nummer K4T1G164QJ-BIE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G164QJ-BIE6000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 11th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G164QJ-BIE6 10.000 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 46 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 1.326 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 50.000 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 8.097 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6 10.240 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 10.240 16+ Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 0 Anfrage senden
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K4T1G164QJ-BIE6000 7.095 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT47H64M16HR-3 IT:H TR-XYZ FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
MT47H64M16HR-3 IT:H/MT47H64M16 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
MT47H64M16HR-3 IT:H/MT47H64M17 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
MT47H64M16HR-3/3IT:E FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
MT47H64M16HR-37E IT TR FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
MT47H64M16HR-37EIT FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
MT47H64M16HR-37EIT:E FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
MT47H64M16HR-37EITE FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
MT47H64M16HR-3:E/-3IT:H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
MT47H64M16HR-3:IT H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C