K4T1G164QJ-BIE6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T1G164QJ-BIE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G164QJ-BIE6000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 11th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G164QJ-BIE6000 10.000 13+ Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 3.380 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 1.181 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 1.440 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 1.789 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BIE6000 6.830 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5PS1G1631CFP-Y5I FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
HY5PS1G1631CLFP-Y5I-C FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640A-3DBLA1 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640A-3DBLI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBI-TR FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBLA1 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBLI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640BL-3DBLI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640C-3DBI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C