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Hersteller-Nummer | K4UHE3D4AA-GFCL |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | LPDDR4X SDRAM |
IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
Gehäuse | FBGA-200 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.1 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+105 C |
Geschwindigkeit | 4266 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+95 C |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
K4F6E3S4HB-KHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
K4F6E3S4HB-KUCL01V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
K4F6E3S4HM | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
K4F6E3S4HM-GHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
K4F6E3S4HM-GHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
K4F6E3S4HM-GHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
K4F6E3S4HM-THCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
K4F6E3S4HM-THCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
K4F6E3S4HM-THCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
K4UHE3D4AA-GHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |